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AGR18060E	文件：426.34 Kbytes Page：9 Pages	60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor Introduction TheAGR18060Eisa60W,26VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforenhanceddataforglobalevolution(EDGE),globalsystemformobilecommunication(GSM),andsinglecarrierormulti-carrierclassABpower	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
AGR18060EF	文件：426.34 Kbytes Page：9 Pages	60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor Introduction TheAGR18060Eisa60W,26VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforenhanceddataforglobalevolution(EDGE),globalsystemformobilecommunication(GSM),andsinglecarrierormulti-carrierclassABpower	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
AGR18060EU	文件：426.34 Kbytes Page：9 Pages	60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor Introduction TheAGR18060Eisa60W,26VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforenhanceddataforglobalevolution(EDGE),globalsystemformobilecommunication(GSM),andsinglecarrierormulti-carrierclassABpower	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
ILSTA18060	文件：360.77 Kbytes Page：4 Pages	SIntegratedLEDTactSwitch Features/Benefits •CompactSize •THTversions •Differentheight •SeveralLEDcolors •Highlifecycles	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
ILSTB18060	文件：360.77 Kbytes Page：4 Pages	SIntegratedLEDTactSwitch Features/Benefits •CompactSize •THTversions •Differentheight •SeveralLEDcolors •Highlifecycles	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
ILSTC18060	文件：360.77 Kbytes Page：4 Pages	SIntegratedLEDTactSwitch Features/Benefits •CompactSize •THTversions •Differentheight •SeveralLEDcolors •Highlifecycles	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
MRF18060A	文件：393.1 Kbytes Page：12 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLL	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF18060A	文件：405.18 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistorsTheRFMOSFETLine N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassAB	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF18060B	文件：490.03 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.8to2.0GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications.SpecifiedforGSM1930-1990MHz. •GSMPerformance,FullFrequency	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF18060B	文件：332.4 Kbytes Page：12 Pages	RFPowerFieldEffectTransistor DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1800to2000MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplications.SpecifiedforGSM1930-1990MHz. •GSMPerformance,FullFre	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale

详细参数

型号：
AGR18060E
制造商：
TRIQUINT
制造商全称：
TriQuint Semiconductor
功能描述：
60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor

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