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AFN1012

Trench Power MOSFET

Alfa-MOS

闸能

Alfa-MOS

AM1012

MOSFET N-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET

FEATURES TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated Gate-Source ESD Protected: 2000V High-Side Switching Low On-Resistance: 0.7Ω Low Threshold: 0.8V (typ) Fast Switching Speed: 10ns Available in SC-89 Package DESCRIPTION FEATURES The AM1012 is available in SC-89 Package APPLICATION  Drive

文件:600.81 Kbytes 页数:9 Pages

AITSEMI

创瑞科技

AN1012

Predicting the battery life and data

文件:445.19 Kbytes 页数:33 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

AOCJY_1012

SMD OVEN CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR

文件:1.20378 Mbytes 页数:3 Pages

ABRACON

技术参数

  • VDSS:

    20

  • VGS:

    12

  • VTH_Min:

    0.4

  • VTH_Max:

    1

  • IDS_25°C:

    0.7

  • RDS(Max)_4.5V:

    360

  • RDS(Max)_2.5V:

    420

  • RDS(Max)_1.8V:

    560

  • PD_25℃:

    0.27

  • Package:

    SOT-523

  • Status:

    Active

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AFN1012供应商 更新时间2025-11-20 16:36:00