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AF15N50	文件：252.84 Kbytes Page：9 Pages	50V N-Channel MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AF15N50DNPTR-G1	文件：252.84 Kbytes Page：9 Pages	50V N-Channel MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
15N50	文件：1.039069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
15N50	文件：248.29 Kbytes Page：6 Pages	15A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
15N50K-MT	文件：213.35 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
E15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
F15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
FDB15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB15N50	文件：50.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
FDB15N50	文件：332.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDH15N50	文件：344.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDH15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP15N50	文件：194.94 Kbytes Page：6 Pages	15A,500V,0.38Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features •LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement •ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness •ReducedrDS(ON) •ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance •ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI •175°CRatedJunctionTemperature Applications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP15N50	文件：331.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
HM15N50	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM15N50F	文件：505.78 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
I15N50	文件：1.54489 Mbytes Page：12 Pages	15A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
KDB15N50	文件：50.18 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelSMPSPowerMOSFET Features ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ●ReducedrDS(ON) ●ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ●ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KF15N50N	文件：69.45 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=15A •Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式会社

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更多AF15N50供应商更新时间2024-4-27 10:02:00

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