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BD897	文件：127.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min) •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@lc=3A •CollectorPowerDissipation-:Pc=70W@Tc=25°C •8AContinuousCollectorCurrent •ComplementtoTypeBD898 APPLICATIONS •DesignedforuseascomplementaryAFpush-p	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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BD897	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD896,BD898,BD900andBD902 ●70Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD897	文件：126 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPNPTransistors ◆Features •WithTO-220package •Withgeneral-purposeandamplifierapplications	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 锦美电子泉州锦美电子有限公司	JMNIC
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详细参数

型号：
AE-897-MIN
制造商：
TE Connectivity
功能描述：
8-1197476-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AE-897-MIN供应商更新时间2025-7-28 11:06:00

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