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ADM68N10Q中文资料爱德微数据手册PDF规格书

ADM68N10Q
厂商型号

ADM68N10Q

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

丝印标识

M68N10Q

封装外壳

PDFN56

文件大小

972.85 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企业简称

ADV爱德微

中文名称

爱德微(深圳)电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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ADM68N10Q规格书详情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Lead-Free,RoHS Compliant

Description:

The ADM68N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

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