2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS??Dual SPDT Switch

文件：225.54 Kbytes 页数：16 Pages

AD

亚德诺

Low Capacitance, Low Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS?? Dual SPDT Switch

文件：288.96 Kbytes 页数：16 Pages

AD

亚德诺

低电容、低电荷注入、±15 V/12 V iCMOS、双通道单刀双掷开关

ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS®工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同，iCMOS器件不但可以承受高电源电压，同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。\n\n 这款器件具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使该 • 1.3 pF关断电容\n\n• 3.5 pF导通电容\n\n• 1 pC电荷注入\n\n• 电源电压范围：33 V\n\n• 导通电阻：120 Ω\n\n• 额定电源电压：+12 V、±15 V\n\n• 无需VL电源\n\n• 3 V逻辑兼容输入\n\n• 轨到轨工作\n\n• 16引脚TSSOP和12引脚LFCSP封装\n\n• 典型功耗：<0.03 µW;

ADI

亚德诺

Low Capacitance, Low Charge Injection

文件：288.96 Kbytes 页数：16 Pages

AD

亚德诺

2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS??Dual SPDT Switch

文件：225.54 Kbytes 页数：16 Pages

AD

亚德诺

2 pF Off Capacitance, 1 pC Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS??Dual SPDT Switch

文件：225.54 Kbytes 页数：16 Pages

AD

亚德诺

Low Capacitance, Low Charge Injection, 짹15 V/12 V iCMOS?? Dual SPDT Switch

文件：288.96 Kbytes 页数：16 Pages

AD

亚德诺