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BD637	文件：124.18 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min.)@IC=25mA •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min.) •ComplementtoTypeBD638 APPLICATIONS •Designedforamplifierandswitchingapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C637	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
C637	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
CD637	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMN637	文件：77.03 Kbytes Page：1 Pages	764MHzBandRejectFilter	APITECH API Technologies Corp	APITECH
CNL637	文件：348.47 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CTN637	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
DC-637	文件：134.3 Kbytes Page：1 Pages	3.0WATTSINGLE&DUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
FDC637AN	文件：240.68 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedeviceshavebeendesigned	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC637AN	文件：1.03816 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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产品属性

产品编号：
AD637KQ
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
集成电路（IC） > RMS 至 DC 转换器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
电压 - 供电：
±3V ~ 18V
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-CDIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
14-CERDIP
描述：
IC RMS TO DC CONVERTER 14CERDIP

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