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ACMS03N06T-HF	文件：498.29 Kbytes Page：5 Pages	Marking：2310；Package：SOT-23；MOSFET Features -Improveddv/dtcapability. -Fastswitching. -RDS(ON)≤100mΩ@VGS=10V. -AEC-Q101Qualified.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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EMD03N06ES	文件：207.88 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)4.1mΩ ID90A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD03N06ES	文件：236.26 Kbytes Page：7 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID150A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD03N06FS	文件：207.88 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)4.1mΩ ID90A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD03N06HS	文件：221.91 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)3mΩ ID97A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
MCQ03N06	文件：573.4 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelPowerMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MCT03N06	文件：459.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
RLD03N06CLE	文件：93.44 Kbytes Page：9 Pages	0.3A,60V,6Ohm,ESDRated,CurrentLimited,VoltageClamped,LogicLevelN-ChannelPowerMOSFETs Theseareintelligentmonolithicpowercircuitswhichincorporatealateralbipolartransistor,resistors,zenerdiodesandapowerMOStransistor.Thecurrentlimitingofthesedevicesallowittobeusedsafelyincircuitswhereashortedloadconditionmaybeencountered.Thedrainto source	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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