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AORN1002FUF	文件：96.13 Kbytes Page：4 Pages	Molded,50milPitch,Dual-In-LineThinFilmResistor,PrecisionAutomotive,AEC-Q200Qualified,Networks FEATURES •Moistureresistanttantalumnitrideresistivefilm (MILSTD202,method106) •Standard8pincount(0.150narrowbody) JEDEC®MS-012 •Ruggedmoldedcaseconstruction •Excellentlongtermratiostability (ΔR±0.015%) •LowTCRtracking±5ppm/°C •Passessulfurresista	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
APT1002RAN	文件：309.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1002RBN	文件：50.45 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV® N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1002RBN	文件：360.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1002RCN	文件：49.5 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS POWERMOSIV™ N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT1002RCN	文件：297.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT1002RDN	文件：331.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ARJ-1002	文件：628.88 Kbytes Page：2 Pages	GIGABITRJ45LANMAGNETIC	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
ASI1002	文件：18.18 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI1002isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto1500MHz. FEATURES: •PG=12dBminat2W/1,000MHz •HermeticMicrostripPackage •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AT-1002	文件：48.95 Kbytes Page：2 Pages	HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) HighPowerFixedAttenuators(Radiatorbuilt-in) ■Features 1.SmallSizeandEconomical Berylliaisusedforthematerialoftheresistanceelementtoenabletheterminationtobeofsmallsizeandlowcost. 2.ConnectorsUsed Inthecouplingportion,theAT-1000SerieshasanSMAt	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

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详细参数

型号：
ACM1002A
制造商：
AZDISPLAYS
制造商全称：
AZ Displays
功能描述：
SPECIFICATIONS FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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