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BA5830FM	文件：156.31 Kbytes Page：5 Pages	SiliconMonolithicIntegratedCircuit Features ・4CHBTLDriver. ・EmploystheHSOP-M28PINpowerpackageforcompaction. ・Hasawidedynamicrange.(PreVcc=PowVcc=8V,RL=8Ω、6.0V(typ.)) ・Incorporatesthethermalshutdowncircuit. ・SeparatingVccintoPreandPower(PowerdividesintoCH1/2and CH3/4),canmakebetterPowerefficien	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DW5830	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FTD5830A	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTD5830B	文件：1.37569 Mbytes Page：16 Pages	3ALowDropRegulaotrWithEnable	FS First Silicon Co., Ltd	FS
LC5830K	文件：1.262 Mbytes Page：25 Pages	Supplyvoltage6to48V	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
NTE5830	文件：18.74 Kbytes Page：2 Pages	StudMountStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp Description: TheNTE5830throughNTE5849aresiliconrectifiersinaD04typepackagedesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NTMFS5830NL	文件：114.04 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,172A,2.3m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5830NL	文件：81.7 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5830NL	文件：298.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=123A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·PowerSupplies ·InductiveLoads ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVMFS5830NL	文件：111.95 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,2.3m,185A,SingleN.Channel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ACE5853	ACETECHNOLOGY	23+	8DFN	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市博中泰实业有限公司	ACE5853	ACETECHNOLOGY	24+	8DFN	60000		询价
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