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BB304	文件：293.45 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDualCapacitanceDiodes Features: Commoncathode	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BB304A	文件：60.17 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForFMtunersMonolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes) SiliconVariableCapacitanceDiode PreliminaryData ●ForFMtuners ●Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes ●Uniformsquarelawcharacteristics ●IdealHifituningdevicewhenusedinLow-distortionback-tobackconfiguration ●Color-codedcapacitancesubgr	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB304C	文件：67.88 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB304C	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304CDW-TL-E	文件：217.81 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit; Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304M	文件：68.48 Kbytes Page：12 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICUHF/VHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
BB304M	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB304MDW-TL-E	文件：301.75 Kbytes Page：10 Pages	BuiltinBiasingCircuitMOSFETICVHFRFAmplifier Features •BuiltinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highgain; (PG=29dBtyp.atf=200MHz) •Lownoisecharacteristics; (NF=1.2dBtyp.atf=200MHz) •Widesupplyvoltagerange; Applicablewith5Vto9Vsupplyvoltage. •Withstandingt	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
BB-UHR304	文件：967.13 Kbytes Page：4 Pages	IndustrialUSB2.0&3.0Hubs Features(modeldependent) •ExpandoneUSBportto4or7USBports •USB2.0&USB3.0 •ESDprotection •HighretentionUSBconnectorsgripcablestight •Wideoperatingtemperature(USB2.0hubs) •USBhostportpowerorexternalPSUpower •Metalorplasticenclosures–desk,panel,DI	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
BC304	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

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详细参数

型号：
A304R
制造商：
MPD
制造商全称：
MicroPower Direct, LLC
功能描述：
Compact, Regulated, 3W Single & Dual Output DC/DC Converters

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	A304R	MILITARY	新		42	全新原装货期两周	询价
深圳市科雨电子有限公司	A304S1RNCQ	C&K	20+	开关元件	2896	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	A304S1RNCQ		24+	N/A	75000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
北京天阳诚业科贸有限公司	A304S1RNCQ	C&K	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
深圳市一线半导体有限公司	A3050	PHI	24+	QFN32	24		询价
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深圳市百域芯科技有限公司	A3050	AVAGO/安华高	21+	DIP-8L	120000	长期代理优势供应	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	A3050	AVAGO/安华高	23+	DIP-8L	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市英瑞芯科技有限公司	A3050	AVAGO	2022+	DIP-8L	8600	英瑞芯只做原装正品	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	A3050	AVAGO/安华高	22+	DIP-8L	18000	原装正品	询价

更多A304R供应商更新时间2025-6-9 16:05:00

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