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A2T21H360-24SR6	文件：506.41 Kbytes Page：16 Pages	N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
A2T21H360-24SR6	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：NI-1230-4LS2L 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：IC TRANS RF LDMOS	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司

产品属性

产品编号：
A2T21H360-24SR6
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.14GHz
增益：
16.2dB
功率 - 输出：
63W
封装/外壳：
NI-1230-4LS2L
供应商器件封装：
NI-1230-4LS2L
描述：
IC TRANS RF LDMOS

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