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A2T21H360-23NR6

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

A2T21H360-23NR6

包装:卷带(TR) 封装/外壳:OM-1230-4L2L 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

产品属性

  • 产品编号:

    A2T21H360-23NR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    16.8dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    373W

  • 封装/外壳:

    OM-1230-4L2L

  • 供应商器件封装:

    OM-1230-4L2L

  • 描述:

    RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S

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更多A2T21H360-23NR6供应商 更新时间2024-4-25 17:53:00