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ISF1268	文件：376.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=31A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.105Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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KTA1268	文件：61.24 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors LowNoiseAmplifierApplication HighVoltageApplication Features ●HighVoltage:Vceo＝-120V（Min） ●HighDCcurrentgainhFE=200~700.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
KTA1268	文件：90.93 Kbytes Page：1 Pages	LowNoiseAmplifierApplication LowNoiseAmplifierApplication HighVoltageApplication Features ●HighVoltage:Vceo＝-120V（Min） ●HighDCcurrentgainhFE=200~700.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
KTA1268	文件：733.33 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-92PlasticPackage. Features Lownoise,highhFE,highbreakdownvoltage. Applications Lownoiseaudioamplifierapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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