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V10P8	文件：106.57 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技

更多A10P8G供应商更新时间2024-4-27 10:18:00