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8205	文件：122.34 Kbytes Page：8 Pages	LOW-DROPOUTREGULATORS.HIGHEFFICIENCY Designedspecificallytomeettherequirementforextendedoperationofbattery-poweredequipmentsuchascordlessandcellulartelephones,theA8205SLHvoltageregulatorsofferthereduceddropoutvoltageandquiescentcurrentessentialformaximumbatterylife.Applicablealsotopalmtopcompute	Allegro Allegro MicroSystems
8205	文件：963.82 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
8205	文件：1.97252 Mbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司
8205	文件：161.84 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,2C#20StrTC,PVCIns,PVCJkt,CMG ProductDescription Electronic,2Conductor20AWG(7x28)TinnedCopper,PVCInsulation,PVCOuterJacket,CMG	BELDEN Belden Inc.
8205A	文件：3.05317 Mbytes Page：6 Pages	20V,18m2,6A,N-ChannelMOSFET Features ◆20VMOSFETtechnology ◆Lowon-stateresistance ◆Fastswitching ◆Vgs+12V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
8205A	文件：1.86043 Mbytes Page：3 Pages	DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet ProductSummary Vos=20V,ID=6A RDS(ON),19.5m2(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25m2(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司
8205A	文件：1.34742 Mbytes Page：6 Pages	DualN-ChannelEnhancementPowerMosfet Features VDS=20V,ID=6A RDS(ON),19.5mΩ(Typ)@VGS=4.5V RDS(ON),25mΩ(Typ)@VGS=2.5V TrenchPowerTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications	UMWUMW 友台友台半导体
8205A	文件：3.55627 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司
8205A	文件：963.84 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
8205A	文件：329.03 Kbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
8205A	文件：217.02 Kbytes Page：5 Pages	5A20VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
8205A	文件：821.7 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
8205AS	文件：295.04 Kbytes Page：4 Pages	10VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
8205B	文件：296.31 Kbytes Page：4 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
8205B	文件：3.94332 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage DualN-ChannelMOSFET APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司
8205C	文件：245.78 Kbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
8205D	文件：245.71 Kbytes Page：3 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
8205K	文件：963.76 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
8205MN	文件：150.88 Kbytes Page：2 Pages	SpaceMaker™,2C#20StrTC,POIns,PVCJkt,AWM2937 ProductDescription SpaceMaker™,2Conductor20AWG(26x34)TinnedCopper,POInsulation,PVCOuterJacket,AWM2937	BELDEN Belden Inc.
8205NH	文件：157.95 Kbytes Page：2 Pages	Electronic,1PR#20StrTC,POins,Unsh,LSNHJkt,300V,Dca ProductDescription Electronic,1PairAWG20TinnedCopper-Stranded,Polyolefin(PO,PE,PP)insulation,Unshieldedshielding,LSZH/FRNCjacket,300V	BELDEN Belden Inc.

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	8205S/E	原装台产	2017+	SOT163	54789	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多8205S/E供应商更新时间2024-4-24 9:14:00

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