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74VHCT08	文件：595.39 Kbytes Page：14 Pages	Quad2-inputANDgate	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
74VHCT08A	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
74VHCT08A	文件：52.77 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHCT08Aisanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=4.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLEWITHTTLOUTPU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHCT08A	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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74VHCT08AFT	文件：152.81 Kbytes Page：7 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitsSiliconMonolithic FunctionalDescription •Quad2-InputANDGate General The74VHCT08AFTisanadvancedhighspeedCMOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOS technology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOS lowpowerdissipa	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
74VHCT08AM	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
74VHCT08AM	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08AM	文件：52.77 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHCT08Aisanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=4.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2µA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLEWITHTTLOUTPU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHCT08AMTC	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08AMTC	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
74VHCT08AMTCX	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08AMTCX_NL	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08AMTR	文件：217.72 Kbytes Page：11 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
74VHCT08AMX	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08AMX_NL	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08AN	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08ANX	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08ASJ	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
74VHCT08ASJ	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
74VHCT08AB
功能描述：
逻辑门 Quad 2-Input AND
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
OR
逻辑系列：
LVC
栅极数量：
2
线路数量（输入/输出）：
2/1
高电平输出电流：
- 16 mA
低电平输出电流：
16 mA
传播延迟时间：
3.8 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.65 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DCU-8
封装：
Reel

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更多74VHCT08AB供应商更新时间2024-5-21 14:30:00

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