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74LV251PW	文件：116.48 Kbytes Page：12 Pages	8-input multiplexer 3-State DESCRIPTION The 74LV251 is a low-voltage Si-gate CMOS device and is pin and function compatible with 74HC/HCT251. FEATURES • Optimized for low voltage applications: 1.0 to 3.6 V • Accepts TTL input levels between VCC = 2.7 V and VCC = 3.6 V • Typical VOLP (output ground bounce) 文件：116.48 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
74LV251PWDH	文件：116.48 Kbytes Page：12 Pages	8-input multiplexer 3-State DESCRIPTION The 74LV251 is a low-voltage Si-gate CMOS device and is pin and function compatible with 74HC/HCT251. FEATURES • Optimized for low voltage applications: 1.0 to 3.6 V • Accepts TTL input levels between VCC = 2.7 V and VCC = 3.6 V • Typical VOLP (output ground bounce) 文件：116.48 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
74LV251	文件：116.48 Kbytes Page：12 Pages	8-input multiplexer 3-State DESCRIPTION The 74LV251 is a low-voltage Si-gate CMOS device and is pin and function compatible with 74HC/HCT251. FEATURES • Optimized for low voltage applications: 1.0 to 3.6 V • Accepts TTL input levels between VCC = 2.7 V and VCC = 3.6 V • Typical VOLP (output ground bounce) 文件：116.48 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
74LV251D	文件：116.48 Kbytes Page：12 Pages	8-input multiplexer 3-State DESCRIPTION The 74LV251 is a low-voltage Si-gate CMOS device and is pin and function compatible with 74HC/HCT251. FEATURES • Optimized for low voltage applications: 1.0 to 3.6 V • Accepts TTL input levels between VCC = 2.7 V and VCC = 3.6 V • Typical VOLP (output ground bounce) 文件：116.48 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
74LV251DB	文件：116.48 Kbytes Page：12 Pages	8-input multiplexer 3-State DESCRIPTION The 74LV251 is a low-voltage Si-gate CMOS device and is pin and function compatible with 74HC/HCT251. FEATURES • Optimized for low voltage applications: 1.0 to 3.6 V • Accepts TTL input levels between VCC = 2.7 V and VCC = 3.6 V • Typical VOLP (output ground bounce) 文件：116.48 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI

详细参数

型号：
74LV251PW
功能描述：
编码器、解码器、复用器和解复用器 8-INPUT MUX 3ST
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
Multiplexers
逻辑系列：
CMOS
线路数量（输入/输出）：
2/12
传播延迟时间：
350 ps, 400 ps
电源电压-最大：
2.625 V, 3.6 V
电源电压-最小：
2.375 V, 3 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-44
封装：
Tray

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