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74F219PC	文件：52.14 Kbytes Page：6 Pages	64-Bit Random Access Memory with 3-STATE Outputs GeneralDescription The74F219isahigh-speed64-bitRAMorganizedasa16-wordby4-bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedon-chip.Theoutputsare3-STATEandareinthehigh-impedancestatewhenevertheChipSelect(CS)inputisHIGH.Theoutputsare	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
74F219PC	文件：164.2 Kbytes Page：8 Pages	64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
74F219PC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：16-DIP（0.300"，7.62mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC RAM 64B PARALLEL 16DIP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
74F219	文件：164.2 Kbytes Page：8 Pages	64-BitRandomAccessMemorywithTRI-STATEEOutputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
74F219	文件：52.14 Kbytes Page：6 Pages	64-BitRandomAccessMemorywith3-STATEOutputs GeneralDescription The74F219isahigh-speed64-bitRAMorganizedasa16-wordby4-bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedon-chip.Theoutputsare3-STATEandareinthehigh-impedancestatewhenevertheChipSelect(CS)inputisHIGH.Theoutputsare	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
74F219A	文件：91.64 Kbytes Page：12 Pages	64-bitTTLbipolarRAM,non-inverting3-State DESCRIPTION The74F219Aisahighspeed,64–bitRAMorganizedasa16–wordby4–bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedonchip.Theoutputsareinhighimpedancestatewheneverthechipenable(CE)ishigh.TheoutputsareactiveonlyintheREADmode(WE	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
74F219SC	文件：164.2 Kbytes Page：8 Pages	64-BitRandomAccessMemorywithTRI-STATEEOutputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
74F219SC	文件：52.14 Kbytes Page：6 Pages	64-BitRandomAccessMemorywith3-STATEOutputs GeneralDescription The74F219isahigh-speed64-bitRAMorganizedasa16-wordby4-bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedon-chip.Theoutputsare3-STATEandareinthehigh-impedancestatewhenevertheChipSelect(CS)inputisHIGH.Theoutputsare	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
74F219SJ	文件：52.14 Kbytes Page：6 Pages	64-BitRandomAccessMemorywith3-STATEOutputs GeneralDescription The74F219isahigh-speed64-bitRAMorganizedasa16-wordby4-bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedon-chip.Theoutputsare3-STATEandareinthehigh-impedancestatewhenevertheChipSelect(CS)inputisHIGH.Theoutputsare	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
74F219SJ	文件：164.2 Kbytes Page：8 Pages	64-BitRandomAccessMemorywithTRI-STATEEOutputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
N74F219AD	文件：91.64 Kbytes Page：12 Pages	64-bitTTLbipolarRAM,non-inverting3-State DESCRIPTION The74F219Aisahighspeed,64–bitRAMorganizedasa16–wordby4–bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedonchip.Theoutputsareinhighimpedancestatewheneverthechipenable(CE)ishigh.TheoutputsareactiveonlyintheREADmode(WE	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
N74F219AN	文件：91.64 Kbytes Page：12 Pages	64-bitTTLbipolarRAM,non-inverting3-State DESCRIPTION The74F219Aisahighspeed,64–bitRAMorganizedasa16–wordby4–bitarray.Addressinputsarebufferedtominimizeloadingandarefullydecodedonchip.Theoutputsareinhighimpedancestatewheneverthechipenable(CE)ishigh.TheoutputsareactiveonlyintheREADmode(WE	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦

产品属性

产品编号：
74F219PC
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型：
易失
存储器格式：
RAM
技术：
RAM
存储容量：
64b（16 x 4）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
29ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
16-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
16-PDIP
描述：
IC RAM 64B PARALLEL 16DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯斯宇科技有限公司	74F219PC	FairchildSemiconductor	2022	ICRAM64BIT27NS16DIP	5058	原厂原装正品,价格超越代理	询价
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更多74F219PC供应商更新时间2024-4-25 9:18:00

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