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71V67903S85BQ集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
71V67903S85BQ |
参数属性 | 71V67903S85BQ 封装/外壳为165-TBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA |
功能描述 | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
文件大小 |
301.85 Kbytes |
页面数量 |
23 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 10:18:00 |
71V67903S85BQ规格书详情
Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports fast access times:
– 7.5ns up to 117MHz clock frequency
– 8.0ns up to 100MHz clock frequency
– 8.5ns up to 87MHz clock frequency
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆ 3.3V core power supply
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)
◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball
grid array (fBGA)
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
71V67903S85BQ属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的71V67903S85BQ存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
71V67903S85BQ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,SDR
- 存储容量:
9Mb(512K x 18)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
165-TBGA
- 供应商器件封装:
165-CABGA(13x15)
- 描述:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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