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71V65903S80BGI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80BGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80BGI8	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80BGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：119-BGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80BG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80BQ	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80BQG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80PFG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
71V65903S80PFGI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT™SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
IDT71V65903S80BG	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65903S80BGI	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65903S80BQ	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65903S80BQI	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65903S80PF	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司
IDT71V65903S80PFI	文件：504.78 Kbytes Page：26 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司

产品属性

产品编号：
71V65903S80BGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
9Mb（512K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
119-BGA
供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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