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IDT71V016S20PH	文件：80.85 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V016S20PHI	文件：80.85 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V016S20Y	文件：80.85 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V016S20YI	文件：80.85 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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