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7164S20YG8集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
产品属性
- 产品编号：
7164S20YG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 异步
- 存储容量：
64Kb（8K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
20ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
- 供应商器件封装：
28-SOJ
- 描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Integrated Device Technology |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
SOJ28 |
7350 |
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IDT |
24+ |
SOJ-28 |
80000 |
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IDT, |
25+ |
25000 |
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IDT |
25+ |
5 |
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IDT |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
2447 |
SOJ-28 |
315000 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
SOJ-28 |
499 |
询价 | |||
24+ |
N/A |
78000 |
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Renesas |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
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询价 |
