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71016S20YG

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CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

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CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

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CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:12/15/20ns –Industrial:15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆BidirectionaldatainputsandoutputsdirectlyTTLcompatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdeselect ◆Upp

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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IDT71016S20YG

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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IDT71016S20YGI

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

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CMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhig

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产品属性

  • 产品编号：

    71016S20YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别：

    集成电路（IC） > 存储器

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 存储器类型：

    易失

  • 存储器格式：

    SRAM

  • 技术：

    SRAM - 异步

  • 存储容量：

    1Mb（64K x 16）

  • 存储器接口：

    并联

  • 写周期时间 - 字，页：

    20ns

  • 电压 - 供电：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）

  • 供应商器件封装：

    44-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司
71016S20YG
RENESAS(瑞萨)/IDT
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71016S20YG
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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Renesas Electronics America In
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