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70V3579S4BFG中文资料PDF规格书
厂商型号 |
70V3579S4BFG |
参数属性 | 70V3579S4BFG 封装/外壳为208-LFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
208.64 Kbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企业简称 |
IDT【集成器】 |
中文名称 | 深圳市集成器件技术有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-27 13:02:00 |
产品属性
- 产品编号:
70V3579S4BFG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 双端口,同步
- 存储容量:
1.125Mb(32K x 36)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3.15V ~ 3.45V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
208-LFBGA
- 供应商器件封装:
208-CABGA(15x15)
- 描述:
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
48-LFBGA |
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2117+ |
CABGA-208(15x15) |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
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CABGA256(17x17) |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
208-CABGA(15x15) |
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