70V26L25G集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
70V26L25G |
| 参数属性 | 70V26L25G 封装/外壳为84-BPGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 文件大小 |
517.75 Kbytes |
| 页面数量 |
19 页 |
| 生产厂商 | Renesas Electronics America |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 17:55:00 |
70V26L25G规格书详情
Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT70V26S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V26L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
◆ Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
◆ IDT70V26 easily expands data bus width to 32 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ On-chip port arbitration logic
◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆ Fully asynchronous operation from either port
◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
◆ Available in 84-pin PGA and PLCC
◆ Green parts available, see ordering information
70V26L25G属于集成电路（IC） > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70V26L25G存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
70V26L25G
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 双端口，异步
- 存储容量：
256Kb（16K x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
84-BPGA
- 供应商器件封装：
84-PGA（27.94x27.94）
- 描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
1931+ |
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IDT |
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84-PGA(27.94x27.94) |
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IDT, Integrated Device Technol |
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