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70T3599S133BCI集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
70T3599S133BCI |
参数属性 | 70T3599S133BCI 封装/外壳为256-LBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
文件大小 |
619.67 Kbytes |
页面数量 |
30 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-27 13:01:00 |
70T3599S133BCI规格书详情
Features:
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed data access
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
◆ Counter enable and repeat features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
70T3599S133BCI属于集成电路(IC) > 存储器。瑞萨科技有限公司制造生产的70T3599S133BCI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号:
70T3599S133BCI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 双端口,同步
- 存储容量:
4.5Mb(128K x 36)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
2.4V ~ 2.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
256-LBGA
- 供应商器件封装:
256-CABGA(17x17)
- 描述:
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
165-LBGA |
5280 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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RENESAS(瑞萨)/IDT |
2021+ |
CABGA-256(17x17) |
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Renesas Electronics Corporatio |
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CABGA-256(17x17) |
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IDT |
22+ |
NA |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
256-CABGA(17x17) |
56200 |
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