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6EDL04	文件：853.61 Kbytes Page：22 Pages	200 V and 600 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I065NT	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD); • Maximum blocking voltage +650 V\n• Output current +0.165 A/-0.375 A\n• Integrated Bootstrap Diode\n• Neg. Vs immunity up to -50 V\n• Over current & under voltage detection\n• Programmable delay for fault clear\n• Cross-conduction prevention\n\n优势:\n• Higher efficiency\n• Increased reliability\n• Easy of design\n; EiceDRIVERTM 650 V 2nd generation 3 phase gate driver with a typical 0.165 A source and 0.375 A sink current in DSO-28 package for IGBTs and MOSFETs.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I065PR	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD); • Infineon thin-film-SOI-technology\n• Maximum blocking voltage +650 V\n• Output current +0.165 A/-0.375 A\n• Integrated Bootstrap Diode\n• Neg. Vs immunity up to -50 V\n• Over current & under voltage detection\n• Programmable delay for fault clear time\n• Cross-conduction prevention\n\n优势:\n• Smallest footprint package solution\n• Higher efficiency\n• Increased reliability\n• Higher breakdown voltage (650 V)\n• Easy of design\n; EiceDRIVERTM 650 V 2nd generation 3 phase gate driver with a typical 0.165 A source and 0.375 A sink current in TSSOP-25 package for IGBTs and MOSFETs.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I065PT	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD); • Maximum blocking voltage +650 V\n• Output current +0.165 A/-0.375 A\n• Integrated Bootstrap Diode\n• Neg. Vs immunity up to -50 V\n• Over current & under voltage detection\n• Programmable delay for fault clear\n• Cross-conduction prevention\n\n优势:\n• Higher efficiency\n• Increased reliability\n• Easy of design\n; EiceDRIVERTM 650V 2nd generation 3 phase gate driver with a typical 0.165 A source and 0.375 A sink current in DSO-28 package for IGBTs and MOSFETs.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I06NC	文件：742.21 Kbytes Page：25 Pages	EiceDRIVER??Compact High voltage gate driver IC Description Thedevice6EDfamily–2ndgenerationisafullbridgedrivertocontrolpowerdeviceslikeMOS-transistorsorIGBTsin3-phasesystemswithamaximumblockingvoltageof+600V.BasedontheusedSOI-technologythereisanexcellentruggednessontransientvoltages.Noparasiticthy	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I06PC	文件：742.21 Kbytes Page：25 Pages	EiceDRIVER??Compact High voltage gate driver IC Description Thedevice6EDfamily–2ndgenerationisafullbridgedrivertocontrolpowerdeviceslikeMOS-transistorsorIGBTsin3-phasesystemswithamaximumblockingvoltageof+600V.BasedontheusedSOI-technologythereisanexcellentruggednessontransientvoltages.Noparasiticthy	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04N06PC	文件：742.21 Kbytes Page：25 Pages	EiceDRIVER??Compact High voltage gate driver IC Description Thedevice6EDfamily–2ndgenerationisafullbridgedrivertocontrolpowerdeviceslikeMOS-transistorsorIGBTsin3-phasesystemswithamaximumblockingvoltageof+600V.BasedontheusedSOI-technologythereisanexcellentruggednessontransientvoltages.Noparasiticthy	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I06NT	文件：818.96 Kbytes Page：25 Pages	High voltage gate driver IC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I06NT	文件：853.61 Kbytes Page：22 Pages	200 V and 600 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6EDL04I06NT	文件：853.61 Kbytes Page：22 Pages	200 V and 600 V three-phase gate driver with Over Current Protection (OCP), Enable (EN), Fault and Integrated Bootstrap Diode (BSD)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source：
0.17 A
Output Current Sink：
0.375 A
Channels：
6
Configuration：
Three Phase
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT
Package name：
--
UVLO Input Off：
9.8 V
UVLO Output Off：
9.8 V
Turn On Propagation Delay max：
800 ns
Turn On Propagation Delay：
530 ns
Turn On Propagation Delay min：
400 ns
Input Vcc min：
13 V
Input Vcc max：
17.5 V
Output Vbs min：
13 V
Output Vbs max：
17.5 V
Rise Time max：
100 ns
Rise Time：
60 ns
Fall Time max：
45 ns
Fall Time：
26 ns
UVLO Input On：
11.7 V
UVLO Output On：
11.7 V

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