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6ED003L06-C2	文件：742.21 Kbytes Page：25 Pages	EiceDRIVER??Compact High voltage gate driver IC Description Thedevice6EDfamily–2ndgenerationisafullbridgedrivertocontrolpowerdeviceslikeMOS-transistorsorIGBTsin3-phasesystemswithamaximumblockingvoltageof+600V.BasedontheusedSOI-technologythereisanexcellentruggednessontransientvoltages.Noparasiticthy	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-C2	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V three-phase gate driver IC with over current protection, enable, and fault reporting; • Thin-film-SOI-technology\n• Maximum blocking voltage +600V\n• Separate control circuits for all six drivers\n• CMOS and LSTTL compatible input (negative logic)\n• Signal interlocking of every phase to prevent cross-conduction\n• Detection of over current and under voltage supply\n\n优势:\n• Space saving package\n• Improved energy efficiency\n; EiceDRIVER™ Compact - Full bridge 3 Phase gate driver IC with LS-SOI technology to control power devices like MOS-transistors or 600V IGBTs\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-F2	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V three-phase gate driver IC with over current protection, enable, and fault reporting; • Thin-film-SOI-technology\n• Maximum blocking voltage +600V\n• Separate control circuits for all six drivers\n• CMOS and LSTTL compatible input (negative logic)\n• Signal interlocking of every phase to prevent cross-conduction\n• Detection of over current and under voltage supply\n\n优势:\n• Space saving package\n• Improved energy efficiency\n; EiceDRIVER™ Compact - Full bridge 3 Phase gate driver IC with LS-SOI technology to control power devices like MOS-transistors or 600V IGBTs\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-F	文件：293.23 Kbytes Page：18 Pages	Integrated 3 Phase Gate Driver	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-F2	文件：746.73 Kbytes Page：20 Pages	High voltage gate driver IC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-F2	文件：746.73 Kbytes Page：20 Pages	High voltage gate driver IC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-F2	文件：749.02 Kbytes Page：20 Pages	Signal interlocking of every phase to prevent cross-conduction	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06-F2_16	文件：746.73 Kbytes Page：20 Pages	High voltage gate driver IC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06F2XUMA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	驱动芯片;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED003L06F2XUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Voltage Class：
600 V
Output Current Source：
0.17 A
Output Current Sink：
0.38 A
Channels：
6
Configuration：
Three Phase
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT
Package name：
--
UVLO Input Off：
9.8 V
UVLO Output Off：
9.8 V
Turn On Propagation Delay max：
800 ns
Turn On Propagation Delay：
530 ns
Turn On Propagation Delay min：
400 ns
Turn Off Propagation Delay max：
800 ns
Turn Off Propagation Delay：
530 ns
Turn Off Propagation Delay min：
400 ns
Input Vcc min：
13 V
Input Vcc max：
17.5 V
Output Vbs min：
13 V
Output Vbs max：
17.5 V
Rise Time max：
100 ns
Rise Time：
60 ns
Fall Time max：
45 ns
Fall Time：
26 ns
UVLO Input On：
11.7 V
UVLO Output On：
11.7 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
万三科技(深圳)有限公司	6ED003L06-C2	Infineon(英飞凌)	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
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