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6A08-G	文件：66.56 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Silicon Rectifiers Voltage:50to1000V Current:6.0A RoHSDevice Features -Lowcostconstruction. -DiffusedJunction. -Lowforwardvoltagedrop. -Highcurrentcapability.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
6A08S	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	PLASTIC SILICON RECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
6A08B-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 6A R6	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
6A08-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：R-6，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 6A R6	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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ZXMN6A08G	文件：445.68 Kbytes Page：8 Pages	60VSOT223N-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthres	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXMN6A08G	文件：452.5 Kbytes Page：8 Pages	60VSOT223N-channelenhancementmodeMOSFET Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfromZetexfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •Lowon-resistance •Fastswitchingspeed •Lowthres	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08GQ	文件：863.41 Kbytes Page：7 Pages	60VSOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: BLDCMotors DC-DCConverters LoadSwitch FeaturesandBenefits LowOn-Resistance FastS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08GQTA	文件：863.41 Kbytes Page：7 Pages	60VSOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: BLDCMotors DC-DCConverters LoadSwitch FeaturesandBenefits LowOn-Resistance FastS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXMN6A08GQTC	文件：863.41 Kbytes Page：7 Pages	60VSOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtomeetthestringentrequirementsof automotiveapplications.ItisqualifiedtoAEC-Q101,supportedbya PPAPandisidealforusein: BLDCMotors DC-DCConverters LoadSwitch FeaturesandBenefits LowOn-Resistance FastS	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
6A08-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
100pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
R-6，轴向
供应商器件封装：
R-6
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 6A R6

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更多6A08供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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