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65N06	文件：136.98 Kbytes Page：2 Pages	Drain Current ?밒D=63A@ TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
65N06	文件：644.19 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司
65N06	文件：316.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
65N06	文件：374.37 Kbytes Page：7 Pages	65A, 60V N-CHANNEL MOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
65N06_18	文件：316.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP65N06	文件：598.45 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP65N06	文件：332.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=65A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA65N06	文件：362.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=72A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQA65N06	文件：652.83 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF65N06	文件：653.74 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQAF65N06	文件：328.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=49A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB65N06	文件：673.64 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB65N06	文件：668.16 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB65N06TM	文件：673.64 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI65N06	文件：673.64 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI65N06	文件：668.16 Kbytes Page：9 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP65N06	文件：295.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=65A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.016Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP65N06	文件：1.15856 Mbytes Page：6 Pages	65A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply. Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
FQP65N06	文件：661.13 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF65N06	文件：681.73 Kbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	65N06	FAIRCHILD	1215+	TO-220	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	65N06	FAI	2018+	TO263	6528	只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心	询价
深圳宇航军工半导体有限公司	65N06	FAIRCHILD	19+	TO-220	59936	原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂；	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	65N06	FAIRCHILD/仙童	2021+	TO-220	5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市旺财半导体有限公司	65N06	PHI	23+		2800	正品原装货价格低qq:2987726803	询价
上海磐岳电子有限公司	65N06	FAIRCHILD	2023+	TO-220	58000	进口原装,现货热卖	询价
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深圳市钦宇承科技有限公司	65N06	FAIRCHILD/仙童	2014	TO-263	1150	原装正品,不是原装免费送	询价

更多65N06供应商更新时间2024-4-27 11:04:00

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