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IDT6116LA120DB

CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT)

DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

IDT6116LA120TDB

CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT)

DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: •High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc

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集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

详细参数

  • 型号:

    6116LA120TDB

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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更多6116LA120TDB供应商 更新时间2024-4-27 10:20:00