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600F1R2BT250XT	文件：319.44 Kbytes Page：8 Pages	RF Power LDMOS Transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
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600F1R2BT250XT	文件：470.53 Kbytes Page：14 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
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产品属性

产品编号：
600F1R2BT250XT
制造商：
American Technical Ceramics
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
ATC 600F
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±0.1pF
电压 - 额定：
250V
温度系数：
C0G，NP0
工作温度：
-55°C ~ 125°C
特性：
高 Q 值，低损耗，超低 ESR
应用：
射频，微波，高频，旁通，去耦
安装类型：
表面贴装，MLCC
封装/外壳：
0805（2012 公制）
大小 / 尺寸：
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.01mm x 1.24mm）
厚度（最大值）：
0.051"（1.30mm）
描述：
CAP CER 1.2PF 250V C0G/NP0 0805

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