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600F0R3BT250XT

Ultra-Low ESR, High Q, NPO RF Microwave Capacitors

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600F0R3BT250XT

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

600F0R3BT250XT

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

600F0R3BT250XT

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

600F0R3BT250XT

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

600F0R3BT250XT

包装:散装 封装/外壳:0805(2012 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0805

American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

600F0R3BT250XT

包装:散装 封装/外壳:0805(2012 公制) 类别:电容器 陶瓷电容器 描述:CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0805

American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

American Technical Ceramics

产品属性

  • 产品编号:

    600F0R3BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包装:

    散装

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 电压 - 额定:

    250V

  • 温度系数:

    C0G,NP0

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低损耗,超低 ESR

  • 应用:

    射频,微波,高频,旁通,去耦

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 长 x 0.049" 宽(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 0.3PF 250V C0G/NP0 0805

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更多600F0R3BT供应商 更新时间2024-4-28 9:00:00