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IPI50R199CP

丝印:5R199P;Package:PG-TO262;CoolMOS Power Transistor

Features • Lowest figure-of -merit RON x Qg • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Quailfied according to JEDEC1) for target applications CoolMOS CP is designed for: • Hard & soft switching SMPS topologies

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Infineon

英飞凌

IPI05R199CP

丝印:5R199P;Package:PG-TO262;Coolmos Power Transistor

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Infineon

英飞凌

5R199P

CoolMOS Power Transistor

Features • Lowest figure-of -merit RON x Qg • Ultra low gate charge • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Quailfied according to JEDEC1) for target applications CoolMOS CP is designed for: • Hard & soft switching SMPS topologies

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    5R199P

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 500V 17A TO262

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
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Infineon
24+
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3000
进口原装正品优势供应
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原装现货假一罚十
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原厂代理 终端免费提供样品
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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INFINEON/英飞凌
2022+
TO-262
30000
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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更多5R199P供应商 更新时间2025-8-13 16:44:00