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5612-RC	文件：428.21 Kbytes Page：1 Pages	High Current Chokes	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
5612-RC	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：径向，垂直圆柱类别：电感器，线圈，扼流圈固定电感器描述：FIXED IND 25UH 14A 9 MOHM TH	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
5612	文件：89.96 Kbytes Page：1 Pages	RectangularLEDAssembly	VCC Visual Communications Company	VCC
AD5612	文件：563.31 Kbytes Page：24 Pages	2.7Vto5.5V,uA,8-/10-/12-BitnanoDACswith GENERALDESCRIPTION TheAD5602/AD5612/AD5622,membersofthenanoDAC®family,aresingle8-,10-,12-bitbufferedvoltage-outdigital-to-analogconverters(DAC)thatoperatefromasingle2.7Vto5.5Vsupply,consuming FEATURES Single8-,10-,12-bitDACs,2LSBINL 6-leadLFCSPandS	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN5612	文件：331 Kbytes Page：3 Pages	VideoSignal,ChrominanceSignalProcessingICsforColorTV Overview TheAN5612andtheAN5613areintegratedcircuitsdesignedtorcolorTVvideosignalandchrominancesignalprocessingcircuits. Features •ChrominancesignalprocessingcircuittoreitherPALor SECAMsystemcolorTVreceivers,whichcanbemade byusingtheAN5612ortheAN56	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
AOZ5612BQI	文件：2.30507 Mbytes Page：17 Pages	High-Current,High-PerformanceDrMOSPowerModule GeneralDescription TheAOZ5612BQIisahighefficiencysynchronousbuck powerstagemoduleconsistingoftwoasymmetrical MOSFETsandanintegrateddriver.TheMOSFETsare individuallyoptimizedforoperationinthesynchronous buckconfiguration.TheHigh-SideMOSFETisoptimized toachiev	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
ASPI-5612-XXX	文件：104.67 Kbytes Page：1 Pages	SMTPOWERINDUCTORS FEATURES&APPLICATIONS: •Miniaturesize:Mountarea㧦5.9×5.9mm,Height㧦1.2mmmax. •Availableontapeandreelforautomaticinsertion •Leadfreepartavaliable •Applications㧦DCtoDCconvertersforcellularphone,LCDdrivercircuit	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
C5612	文件：141.7 Kbytes Page：2 Pages	Teck901000V,4GC#36StrBC,XLPEInsM4,PVCJkt,AIAArmor,BlkPVCJkt,CSAHLSUNRES-40C ProductDescription Teck901000V,4+GConductor3+6AWG(7x11H)BareCopper,XLPEInsulationM4ColorCode,PVCInnerJacket,AluminumInterlockArmor,BlackPVC OuterJacket,CSAHLSUNRES-40C	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
CLC5612	文件：304.41 Kbytes Page：18 Pages	Dual,HighOutput,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC5612IM	文件：304.41 Kbytes Page：18 Pages	Dual,HighOutput,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC5612IMX	文件：304.41 Kbytes Page：18 Pages	Dual,HighOutput,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CLC5612IN	文件：304.41 Kbytes Page：18 Pages	Dual,HighOutput,ProgrammableGainBuffer	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
CN5612	文件：133.05 Kbytes Page：8 Pages	Low-DropoutHigh-PowerLEDDriver	CONSONANCEShanghai Consonance Electronics Incorporated 上海如韵上海如韵电子有限公司	CONSONANCE
CPH5612	文件：40.51 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive. •Compositetypewith2MOSFETscontainedinasinglepackage,facilitaing-densitymounting.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CSS-S5612G	文件：234.81 Kbytes Page：7 Pages	0.56InchSingleDigitSMDDisplay	CHINASEMI China Semiconductor Corporation	CHINASEMI
EC5612	文件：910.69 Kbytes Page：11 Pages	HighPerformanceRail-to-RailDualOperationalAmplifiers	E-CMOS 飞虹积体	E-CMOS
EC5612NNMHR	文件：910.69 Kbytes Page：11 Pages	HighPerformanceRail-to-RailDualOperationalAmplifiers	E-CMOS 飞虹积体	E-CMOS
FA5612	文件：726.9 Kbytes Page：30 Pages	FUJIPowerSupplyControlIC	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FA5612N	文件：726.9 Kbytes Page：30 Pages	FUJIPowerSupplyControlIC	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FA5612P	文件：726.9 Kbytes Page：30 Pages	FUJIPowerSupplyControlIC	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji

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产品属性

产品编号：
5612-RC
制造商：
Bourns Inc.
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
5600
包装：
卷带（TR）
类型：
鼓芯，绕线式
材料 - 磁芯：
铁氧体
容差：
±10%
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
9 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 105°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，垂直圆柱
大小 / 尺寸：
1.220" 直径（31.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
1.110"（28.19mm）
描述：
FIXED IND 25UH 14A 9 MOHM TH

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