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55GN01C	文件：46.03 Kbytes Page：6 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. •Highgain:\|S21e\|2=9.5dBtyp(f=1GHz).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01CA	文件：55.23 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=9.5dBtyp(f=1GHz)	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01CA	文件：296.39 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor RFTransistor 10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleCP Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=9.5dBtyp(f=1GHz)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
55GN01CA	文件：404.79 Kbytes Page：8 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01CA-TB-E	文件：296.39 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor RFTransistor 10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleCP Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=9.5dBtyp(f=1GHz)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
55GN01FA	文件：59 Kbytes Page：8 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=11dBtyp(f=1GHz) =19dBtyp(f=400MHz) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01FA	文件：506.14 Kbytes Page：9 Pages	RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleSSFP RFTransistor 10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleSSFP Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=11dBtyp(f=1GHz) =19dBtyp(f=400MHz) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
55GN01FA	文件：513.22 Kbytes Page：9 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01M	文件：29.52 Kbytes Page：5 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. •Highgain:\|S21e\|2=10dBtyp(f=1GHz).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01MA	文件：54.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=10dBtyp(f=1GHz)	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01MA	文件：308.02 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=10dBtyp(f=1GHz)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
55GN01MA	文件：418.89 Kbytes Page：8 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01MA-TL-E	文件：308.02 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=10dBtyp(f=1GHz)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
55GN01MA-TL-E	文件：308.02 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=10dBtyp(f=1GHz)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
55GN01NA	文件：56.12 Kbytes Page：6 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. •Highgain:⏐S21e⏐2=7dBtyp(f=1GHz). =13dBtyp(f=400MHz).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01S	文件：31.14 Kbytes Page：6 Pages	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
55GN01SA	文件：53.61 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. •Highgain:⏐S21e⏐2=10dBtyp(f=1GHz). •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社

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深圳市莱克讯科技有限公司	55GN01C-TB-E	SANYO	2017+	SOT23-3	45826	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	55GN01C-TB-E	PANASONIC	23+	SOT23	5000	原装正品,假一罚十	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	55GN01C-TB-E		23+	N/A	46290	正品授权货源可靠	询价
深圳诚思涵科技有限公司	55GN01C-TB-E	SANYO	19+	SOT23-3	20000	6000	询价
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