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50A02MH-TL-E	文件：376.03 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor BipolarTransistor –50V,–0.5A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitchingsmallmoto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02MH-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：3-SMD，扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.5A 3MCPH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH	文件：33.29 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
50A02CH	文件：71.29 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
50A02CH	文件：304.45 Kbytes Page：5 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH	文件：589.36 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor??0V,??.5A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 BipolarTransistor −50V,−0.5A,LowVCE(sat),PNPSingle Features •HighCollectorCurrentCapability •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage(Resistance): RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •LowON-Resistance(Ron) •Pb-Free,HalogenFreeandRoHScompliance TypicalApplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH-TL-E	文件：304.45 Kbytes Page：5 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH-TL-E	文件：589.36 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor??0V,??.5A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 BipolarTransistor −50V,−0.5A,LowVCE(sat),PNPSingle Features •HighCollectorCurrentCapability •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage(Resistance): RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •LowON-Resistance(Ron) •Pb-Free,HalogenFreeandRoHScompliance TypicalApplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH-TL-E	文件：532.3 Kbytes Page：7 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
50A02CH-TL-H	文件：589.36 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor??0V,??.5A,LowVCE(sat)PNPSingleCPH3 BipolarTransistor −50V,−0.5A,LowVCE(sat),PNPSingle Features •HighCollectorCurrentCapability •LowCollectortoEmitterSaturationVoltage(Resistance): RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •LowON-Resistance(Ron) •Pb-Free,HalogenFreeandRoHScompliance TypicalApplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH-TL-H	文件：304.45 Kbytes Page：5 Pages	BipolarTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02CH-TL-H	文件：532.3 Kbytes Page：7 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
50A02MH	文件：376.03 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor BipolarTransistor –50V,–0.5A,LowVCE(sat)PNPSingleMCPH3 Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance)RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •SmallON-resistance(Ron) Applications •Low-frequencyAmplifier,high-speedswitchingsmallmoto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02MH	文件：52.74 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
50A02SS	文件：515.59 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor-50V,-0.4A,LowVCE(sat)PNPSingleSSFP BipolarTransistor –50V,–0.4A,LowVCE(sat)PNPSingleSSFP Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance):RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) Appli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
50A02SS	文件：34.42 Kbytes Page：4 Pages	Low-FrequencyGeneral-PurposeAmplifierApplications PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance). RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA]. •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinend products. •SmallON-resistance(Ron). Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
50A02SS-TL-E	文件：515.59 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistor-50V,-0.4A,LowVCE(sat)PNPSingleSSFP BipolarTransistor –50V,–0.4A,LowVCE(sat)PNPSingleSSFP Features •Largecurrentcapacity •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage(resistance):RCE(sat)typ=210mΩ[IC=0.5A,IB=50mA] •Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts •SmallON-resistance(Ron) Appli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AR50A02	文件：148.14 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifier ■Features ●Io50A ●VRRM50V~1000V ●Plasticmaterialusedcarriesunderwriters ●Highsurgeforwardcurrentcapability ■Applications ●Generalpurpose1phaserectifierapplications	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司
EMF50A02VA	文件：201.81 Kbytes Page：5 Pages	DualN?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS20V RDSON(MAX.)45mΩ ID4.8A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司

产品属性

产品编号：
50A02MH-TL-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
120mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
690MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
3-MCPH
描述：
TRANS PNP 50V 0.5A 3MCPH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	50A02MH-TL-E	ON/安森美	23+	SOT-323	45000	热卖优势现货	询价
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更多50A02MH-TL-E供应商更新时间2024-4-16 18:16:00

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