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4N80K5	文件：1.29086 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD4N80K5	文件：1.30035 Mbytes Page：23 Pages	N-channel800V,2.1??typ.,3AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF4N80K5	文件：2.12081 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STF4N80K5	文件：1.30035 Mbytes Page：23 Pages	N-channel800V,2.1??typ.,3AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL4N80K5	文件：955.09 Kbytes Page：17 Pages	Ultralowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4N80K5	文件：1.30035 Mbytes Page：23 Pages	N-channel800V,2.1??typ.,3AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4N80K5	文件：372.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU4N80K5	文件：317.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU4N80K5	文件：1.30035 Mbytes Page：23 Pages	N-channel800V,2.1??typ.,3AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description TheseveryhighvoltageN-channelPowerMOSFETsaredesignedusingMDmesh™K5technologybasedonaninnovativeproprietaryverticalstructure.Theresultisadramaticreductioninon-resistanceandultra-lowgatechargeforapplicationsrequiringsuperiorpowerdensityandhigheffi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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艾睿（深圳）半导体有限公司	4N80L	UTC/友顺	2447	TO-252	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	4N80L	UTC	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市恒凯威科技开发有限公司	4N80L	UTC	21+		8080	只做原装,质量保证	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	4N80L	UTC/友顺	TO-220F	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市华高宇电子有限公司	4N80L	UTC	19+		2362	只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友	询价
深圳市秉祺电子科技有限公司	4N80L	UTC	21+		10000	原装公司现货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	4N80L	UTC	2019+	TO-220F	3000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多4N80K5供应商更新时间2025-7-19 14:13:00

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