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3SK165A-1	文件：59.71 Kbytes Page：5 Pages	GaAs N-channel Dual Gate MES FET Description The3SK165AisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingcellular,cordlessphone. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.2dB(typ.)at800MHz •Highgain:Ga	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony

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3SK165A-1

文件：59.71 Kbytes

Page：5 Pages

GaAs N-channel Dual Gate MES FET

Description The3SK165AisanN-channeldualgateGaAsMESFETforUHFbandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingcellular,cordlessphone. Features •Lowvoltageoperation •Lownoise:NF=1.2dB(typ.)at800MHz •Highgain:Ga

SonySony Semiconductor Solutions Group

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更多3SK165A-1供应商更新时间2025-6-9 11:02:00

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