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30P06	文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MSD30P06	文件：544.27 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	BWTECHBruckewell Technology LTD 布吕克韦尔技术布吕克韦尔技术有限公司	BWTECH
MTB30P06	文件：247.61 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTS TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60voltTMOSdevices.JustaswithourTMOS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTB30P06KFP	文件：414.85 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTB30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MTB30P06V	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：87.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTB30P06VG	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTBV30P06V	文件：241.07 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET30Amps,60VoltsP-ChannelD2PAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinthe avalancheandcommutationmodes.Designedforlowvoltage,high speedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpower motorcontrols,thesedevicesareparticularlywellsuitedforbridge circuitswherediodespeedan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：191 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM TMOSPOWERFET30AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.080OHM P–ChannelEnhancement–ModeSiliconGateTMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and60volt	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP30P06V	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTP30P06V	文件：941.45 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTP30P06VG	文件：210.08 Kbytes Page：7 Pages	P?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCE30P06J	文件：269.51 Kbytes Page：6 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE30P06Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-30V,ID=-6.5A RDS(ON	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
RFG30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP30P06	文件：71.16 Kbytes Page：8 Pages	30A,60V,0.065Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareP-ChannelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,sw	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP30P06	文件：939.22 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SF30P06C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO

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更多30P06供应商更新时间2024-4-29 17:46:00

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