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AIKW30N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

AR30N60

ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

BIDW30N60T

BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

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国际整流器美国国际整流器公司

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更多30N60A供应商 更新时间2025-7-30 17:06:00