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2SK4209

文件：292.2 Kbytes

Page：5 Pages

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

SANYOSanyo

三洋三洋电机株式会社

SANYO

详细参数

  • 型号：

    2SK4209

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB

  • RoHS：

    是

  • 类别：

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列：

    -

  • 标准包装：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点：

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)：

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C：

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装：

    TO-220FP

  • 包装：

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市纳立科技有限公司
2SK4209
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