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2SK4075B	文件：290.09 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK4075BisN-channelMOSFETdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=13A) •LowCiss:Ciss=2230	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK4075B	文件：331.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK4075B-ZK-E1-AY	文件：290.09 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK4075BisN-channelMOSFETdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=13A) •LowCiss:Ciss=2230	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK4075B-ZK-E2-AY	文件：290.09 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK4075BisN-channelMOSFETdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=25A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=13A) •LowCiss:Ciss=2230	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK4075B-ZK	文件：1.76403 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 4 -V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK4075	文件：357.09 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK4075isN-channelMOSFETdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=15A) •LowCiss:Ciss=2900pFT	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK4075B-ZK	文件：1.76403 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
2SK4075B
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK4075B供应商更新时间2024-5-14 10:00:00

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