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2SK3760	文件：87.45 Kbytes Page：6 Pages	Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7Ω (typ.) • High forward transfer admittance: \|Yfs\| = 2.5S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μ A (VDS = 600 V) • Enhancement-mode: V th = 2.0~4.0 V (V DS = 10 V, ID = 1 mA) 文件：87.45 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SK3760	文件：1.08667 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.08667 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
2SK3760	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2SK/2SJ Series	Toshiba 东芝	Toshiba
2SK3878	文件：0 bytes Page：0 Pages		TOS 上传：深圳市赛美科科技有限公司	TOS
2SK3878	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-247	TOSHIBA 东芝上传：深圳鹏达晟电子有限公司	TOSHIBA

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更多2SK3760供应商更新时间2025-11-19 8:58:00