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2SK3757	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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2SK3757	文件：250.64 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.9Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=1.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=450V) •Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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2SK3757

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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SiliconN-ChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications

SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.9Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=1.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=450V) •Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
2SK3757(Q)
功能描述：
MOSFET PW MOSFET N-Ch 450V 2A 2.45 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SK3757(Q)供应商更新时间2025-5-27 18:24:00

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