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2SK3659	文件：77.2 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET The2SK3659isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchasDC/DCconverterwithsynchronousrectifier.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3659	文件：323.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3659	文件：218.09 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3659isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesa lowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchas DC/DCconverterwithsynchronousrectifier. FEATURES •4.5Vd	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

2SK3659

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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2SK3659

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3659isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesa lowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchas DC/DCconverterwithsynchronousrectifier. FEATURES •4.5Vd

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
2SK3659
制造商：
Renesas Electronics Corporation
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 20V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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