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2SK351	文件：343.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3510	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3510	文件：44.1 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features ●Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mMAX.(VGS=10V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=8500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3510	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingatepro	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3510-S	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3510-S	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingatepro	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3510-Z	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3510-Z	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingatepro	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3510-ZJ	文件：87.14 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance:RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3510-ZJ	文件：227.15 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3510isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=8.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=8500pFTYP. •Built-ingatepro	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3511	文件：85.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3511	文件：44.1 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor Features ●Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) ●LowCiss:Ciss=5900pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3511	文件：226.91 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingate	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3511-S	文件：85.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3511-S	文件：226.91 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingate	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3511-Z	文件：85.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3511-Z	文件：226.91 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingate	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3511-ZJ	文件：85.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3511-ZJ	文件：226.91 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3511isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)=12.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •LowCiss:Ciss=5900pFTYP. •Built-ingate	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3512	文件：124.86 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Highspeedswitching Lowon-resistance Nosecondarybreadown Lowdrivingpower Avalanche-proof Applications Switchingregulators UPS(UninterruptiblePowerSupply) DC-DCconverters	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji

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详细参数

型号：
2SK351
功能描述：
MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	2SK351			TO-3	10000		询价
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更多2SK351供应商更新时间2024-6-15 12:41:00

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