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2SK3484	文件：241.25 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3484isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=125mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=148mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3484	文件：619.4 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3484	文件：144.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3484	文件：46.79 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SK3484	文件：1.02284 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3484	文件：399.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3484_V01	文件：619.4 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3484-Z	文件：241.25 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3484isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=125mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=148mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3484_15	文件：241.86 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3484-Z	文件：144.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3484-Z	文件：2.49723 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
2SK3484-Z	文件：331.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3484-Z-E1-AZ	文件：1.01335 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3484-ZK	文件：1.00816 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SK3484-ZK	文件：401.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK3484(0)-Z-E1-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SK3484-Z	文件：144.92 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SK3484-Z	文件：2.49723 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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2SK3484-Z	文件：241.25 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3484isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=125mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=148mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=8A) •LowCi	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
2SK3484
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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更多2SK3484供应商更新时间2021-10-20 17:28:00

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