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SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=21mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) •LowCiss:Ciss=2100pFTYP. •Built | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | NEC | ||
MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=21mMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) ●LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
N-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3386isN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •LowOn-stateResistance RDS(on)1=21mΩMAX.(VGS=10V,ID=17A) RDS(on)2=36mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=17A) •LowCi | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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08PB |
60000 |
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NEC |
22+23+ |
TO252 |
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NEC |
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NEC |
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TO252 |
10000 |
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NEC |
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Renesas |
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46580 |
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RENESAS/瑞萨 |
18+ |
TO-252 |
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